項(xiàng)目編號(hào) : 0762-2441CBNB2001
公布日期 : 2024-01-12
受招標(biāo)人委托對(duì)下列產(chǎn)品及服務(wù)進(jìn)行國(guó)際公開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)性招標(biāo)，于2024年01月12日在 公告。本次招標(biāo)采用傳統(tǒng)招標(biāo)方式，現(xiàn)邀請(qǐng)合格投標(biāo)人參加投標(biāo)。
1. 招標(biāo)條件
項(xiàng)目概況：甬江實(shí)驗(yàn)室因發(fā)展需要，需采購(gòu)化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)（金屬）設(shè)備、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備、高深寬比磁控濺射設(shè)備各1套。
資金到位或資金來(lái)源落實(shí)情況：項(xiàng)目所需資金已經(jīng)落實(shí)。
項(xiàng)目已具備招標(biāo)條件的說(shuō)明：項(xiàng)目已具備招標(biāo)條件。
2. 招標(biāo)內(nèi)容：
招標(biāo)項(xiàng)目編號(hào)：0762-2441CBNB2001
招標(biāo)項(xiàng)目名稱：甬江實(shí)驗(yàn)室采購(gòu)化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)（金屬）等設(shè)備項(xiàng)目
項(xiàng)目實(shí)施
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2
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
1套
借助微波或射頻使氣體電離，局部形成等離子體，在較低的溫度下沉積薄膜。用于沉積SiO2、SiNx、SiON、P-doped SiO2、Ge-doped SiO2、BPSG、FSG等薄膜。
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3
高深寬比磁控濺射設(shè)備
1套
使用磁控濺射方式用于深硅刻蝕后的硅通孔孔壁沉積阻擋層（Ti或Ta）及電鍍種子層（Cu），防止金屬與Si相互擴(kuò)散的同時(shí)作為后續(xù)電鍍孔內(nèi)填充金屬的導(dǎo)電層。
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3. 投標(biāo)人資格要求
3.1特定資格條件：
3.1.1投標(biāo)人必須是投標(biāo)產(chǎn)品的制造商或投標(biāo)產(chǎn)品的制造商授權(quán)的代理商，如為代理商需提供制造商針對(duì)本項(xiàng)目的授權(quán)書；
3.2本項(xiàng)目不接受聯(lián)合體投標(biāo)。
3.3未領(lǐng)購(gòu)招標(biāo)文件不可以參加投標(biāo)。
4.
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