蘇美達(dá)國(guó)際技術(shù)貿(mào)易 對(duì)下列產(chǎn)品及服務(wù)進(jìn)行國(guó)際公開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)性招標(biāo)，于2024-04-29在公告。本次招標(biāo)采用傳統(tǒng)招標(biāo)方式，現(xiàn)邀請(qǐng)合格投標(biāo)人參加投標(biāo)。1、招標(biāo)條件項(xiàng)目概況:設(shè)備名稱：低應(yīng)力氮化硅生長(zhǎng)爐、原位摻雜多晶硅生長(zhǎng)爐設(shè)備數(shù)量：設(shè)備1 原位摻雜多晶硅生長(zhǎng)爐（1臺(tái)）：包含低應(yīng)力多晶硅/多晶硅/原位摻雜多晶硅工藝模塊和TEOS工藝模塊；設(shè)備2 低應(yīng)力氮化硅生長(zhǎng)爐（1臺(tái)）：包含低應(yīng)力氮化硅工藝模塊和氮化硅工藝模塊。設(shè)備用途：用于生長(zhǎng)低應(yīng)力氮化硅/原位摻雜多晶硅/低應(yīng)力多晶硅/多晶硅/TEOS薄膜。資金到位或資金來(lái)源落實(shí)情況:已到位項(xiàng)目已具備招標(biāo)條件的說(shuō)明:已具備2、招標(biāo)內(nèi)容招標(biāo)項(xiàng)目編號(hào):0664-2440SUMECF28/06招標(biāo)項(xiàng)目名稱:8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線之低應(yīng)力氮化硅生長(zhǎng)爐和原位摻雜多晶硅生長(zhǎng)爐項(xiàng)目實(shí)施地點(diǎn):中國(guó)安徽省招標(biāo)產(chǎn)品列表(主要設(shè)備):

序號(hào)	產(chǎn)品名稱	數(shù)量	簡(jiǎn)要技術(shù)規(guī)格	備注
1	低應(yīng)力氮化硅生長(zhǎng)爐	1	薄膜應(yīng)力范圍 -40~＋40MPa (4μm Poly退火后，應(yīng)力可調(diào))。其他參數(shù)詳見(jiàn)第八章	無(wú)
2	原位摻雜多晶硅生長(zhǎng)爐	1	應(yīng)力范圍 -100~0MPa，應(yīng)力可調(diào)。其他參數(shù)詳見(jiàn)第八章	無(wú)

3、投標(biāo)人資格要求投標(biāo)人應(yīng)具備的資格或業(yè)績(jī):①　投標(biāo)人如為境內(nèi)企業(yè)，提供企業(yè)法人營(yíng)業(yè)執(zhí)照或事業(yè)單位法人證書，如為境外企業(yè)提供企業(yè)注冊(cè)登記證。②　投標(biāo)人可以是設(shè)備制造廠家，也可以是設(shè)備授權(quán)代理商，代理商需有設(shè)備原廠家的有效授權(quán)書。③　投標(biāo)人開(kāi)戶行開(kāi)具的，出具日期在開(kāi)標(biāo)前三個(gè)月內(nèi)的資信證明原件或該原件的復(fù)印件。④　投標(biāo)人需要具有履行合同所必需的設(shè)備技術(shù)支持和服務(wù)能力（提供承諾書，格式自理）。⑤　單位負(fù)責(zé)人授權(quán)書原件。是否接受聯(lián)合體投標(biāo):不接受未領(lǐng)購(gòu)招標(biāo)文件是否可以參加投標(biāo):不可以4、
未曾在中國(guó)電力招標(biāo)采購(gòu)網(wǎng)（www.alertpay.cn）上注冊(cè)會(huì)員的單位應(yīng)先注冊(cè)。登錄成功后根據(jù)招標(biāo)公告的相說(shuō)明下載投標(biāo)文件！

項(xiàng)目 聯(lián)系人：李楊  
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